|
Expositor: Raúl C. Muñoz DFI Viernes 19 de abril, 16:00 h Av. Blanco Encalada 2008, 3er piso Sala de Seminarios En esta charla se presentara un bosquejo de los resultados obtenidos durante una docena de años, buscando entender de que manera el transporte de carga en nanoestructuras metalicas, es influenciado por mecanismos de scattering electronico que no estan (necesariamente) presentes en muestras macroscopicas cristalinas. Para diferenciar el efecto de diferentes mecanismos microscopicos de scattering electronico, ha resultado muy utiil introducir un campo magnetico intenso a 4 K. Presentaremos evidencia de que el scattering electron-supreficie rugosa, induce un cambio de resistividad importante denominado magnetoresistencia, y ademas induce un efecto Hall que permite identificar--- por primerra vez---este mecanismo de colision como fenomeno dominante en el trasnporte de carga a 4 K. Al final de la charla presentaremos resultados recientes, que sugieren que la dificultad fundamental que debe resolver la industria microelectronica para avanzar en los esfuerzos por miniaturizar circuitos electronicos, radica en minimizar el efecto de scattering electron-borde de grano. Este mecanismno de colision electronica resulta dominante incluso a temperatura ambiente, en nanoestructuras de Cu o de Au compuestas por granos cuyo diametro es igual o inferior a 38 nm, el camino libre medio electronico en el cristal puro. |